Natcastは7月14日、半導体の技術革新を推進する国立半導体技術センター（National Semiconductor Technology Center: NSTC）の極端紫外線（Extreme Ultraviolet: EUV）研究施設「EUVアクセラレータ（EUV Accelerator）」がニューヨーク州アルバニーで正式に稼働開始したと発表した。非営利法人で半導体研究開発支援機関のNYクリエイツ（NY CREATES）が運営するアルバニー・ナノテク・コンプレックス（Albany NanoTech Complex）内にある同施設は、CHIPS・科学法（CHIPS and Science Act）によって設立されたNSTCの3つの主要研究開発施設の1つで、既に7月1日から運用を開始しており、現在は標準的な開口数のEUV装置が利用可能で、2026年には高開口数（High Numerical Aperture: NA）EUVシステムも導入予定という。EUV露光（lithography）技術は、より小型で高速、高効率なチップの大量生産を可能にする基盤技術で、同施設での最先端のEUV露光装置へのアクセスや共同研究スペースの活用により、先端半導体技術の商業化を加速していくという。

Natcast “Natcast Celebrates Grand Opening of NSTC EUV Accelerator at NY CREATES’ Albany NanoTech Complex, One of Three NSTC Flagship Semiconductor R&D Facilities Across the Country” (07/14/25)