商務省（Department of Commerce）傘下の米国標準技術研究所（National Institute of Standards and Technology: NIST）は6月2日、エックスライト社（xLight）に1億5,000万ドルを拠出すると発表した。最先端半導体の製造に不可欠な極端紫外線（Extreme ultraviolet: EUV）露光技術開発に伴い、画期的な代替光源となる初の「自由電子レーザー（Free-electron laser: FEL）」試作機の構築と実証に充てる。より高い出力と優れた効率性、歩留まり改善を実現した同社基盤は、従来の技術的なボトルネックを克服する設計となっており、ニューヨーク州の半導体研究施設、アルバニー・ナノテック・コンプレックス（Albany Nanotech Complex）における試作機製作に役立てられるという。今回の取り組みについて、同省はCHIPS・科学法（CHIPS and Science Act）に基づくものとし、国内における新たな光源技術の検証と実用化を拡大していくと説明している。

NIST “Department of Commerce Announces Finalization of CHIPS Incentives with xLight to Support Next-Generation Light Source for Lithography” (06/02/26)
https://www.nist.gov/news-events/news/2026/06/department-commerce-announces-finalization-chips-incentives-xlight-support