米国標準技術局（National Institute of Standards and Technology: NIST）は12月1日、次世代半導体製造の鍵となる極端紫外線（Extreme ultraviolet: EUV）リソグラフィの新型光源を開発するエックスライト社（xLight）と最大1億5,000万ドルを支援する基本合意書（letter of intent: LOI）を締結したと発表した。CHIPS・科学法（CHIPS and Science Act）に基づく資金提供で、トランプ政権下で国家半導体技術センター（National Semiconductor Technology Center: NSTC）の主導権をNISTが握ってから初の案件となる。従来の光源に代わる自由電子レーザー（Free-electron laser: FEL）のプロトタイプ構築により、半導体製造の能力、生産性、コストを大幅に向上させることが可能になるとし、同社は商務省（Department of Commerce）などの支援を受け、アルバニー・ナノテク・コンプレックス（Albany Nanotech Complex）で開発を進める予定である。また、非営利法人のニューヨーク・クリエイツ（NY Create）とも提携し、2028年からの運用開始を目指している。

National Institute of Standards and Technology “Department of Commerce and NIST Announce CHIPS Research and Development Letter of Intent with xLight, Inc. for Extreme Ultraviolet Lithography ” (12/01/25)
https://www.nist.gov/news-events/news/2025/12/department-commerce-and-nist-announce-chips-research-and-development-letter