重要な半導体不足が継続する中、現代の通信や渡航、国家安全保障、製造を下支えするサプライチェーンへのアクセスを強化し、復活させるために、新たな米国イニシアチブが必要とされている。マイクロエレクトロニクス製造の次なる大きな波は、異なるマテリアルやコンポーネントのヘテロジニアス（不均一）な統合が求められ、それは3Dを活用した先端パッケージによって可能となる。国防高等研究計画局（Defense Advanced Research Project Agency: DARPA）による「世代マイクロエレクトロニクス製造（Next-Generation Microelectronics Manufacturing: NGMM）」は、3Dヘテロジニアス・インテグレート（three-dimensional heterogeneously integrated: 3DHI）・マイクロシステムの研究開発及び製造のためのセンターを作ることを狙いとする。NGMMは、国内初となる次世代の3DHIプロトタイプ作成のためのオープン・アクセス施設を確立することで、パイロット式の製造施設という形態の全国的なアクセラレータを開始する。DARPAは、NGMMで開発された能力を全国先端パッケージング製造プログラム（National Advanced Packaging Manufacturing Program: NAPMP）へと移行させることを目指している。
