BNLとLBNL、NYクリエイツが次世代半導体チップ開発で提携

ブルックヘブン国立研究所(Brookhaven National Laboratory: BNL)は11月5日、ローレンス・バークレー国立研究所(Lawrence Berkeley National Laboratory: LBNL)とニューヨーク州の半導体研究機関NYクリエイツ(NY Creates)と連携し、先端半導体チップの開発加速に向けた実証事業を開始したと発表した。極端紫外線(EUV)リソグラフィ技術や半導体チップ製造に使用される材料の特性計測評価技術を重点領域とし、次世代チップの試作品開発や製造プロセスにおける課題に対し産学官の知見を結集して取り組む。エネルギー省(Department of Energy)科学局(Office of Science)が資金を提供し、両研究所の最先端科学施設や高度専門知識へのアクセス障壁を下げ、半導体メーカーと研究者の連携を強化することを目的としており、業界主要メンバーが集まるNYクリエイツとの連携強化により、半導体メーカーと研究者の連携を強化し、革新的なマイクロエレクトロニクス・デバイスを生産する国内拠点構築につなげる方針である。

BNL “DOE Labs and NY Creates Partner to Advance U.S. Microelectronics” (11/05/26)
https://www.bnl.gov/newsroom/news.php?a=123197