国防総省（Department of Defense）は7月7日、ミサイルや宇宙、戦略システムに極めて重要な耐放射線マイクロエレクトロニクス（Radiation-hardened Microelectronics: RHM）の国内生産能力拡大に向け、7月2日付でBAEシステムズ社（BAE Systems）へ1,600万ドルを投じると発表した。国防生産法（Defense Production Act: DPA）に基づくもので、BAE社の「RH45®」機能を再構築し、特定用途向け高耐放射線性45 nm（ナノメートル）のシリコン・オン・インシュレーター（Silicon-on-Insulator: SOI）技術による集積回路などの生産を拡大する。事業を統括する軍事活動投資・資源配分・執行局（Warfighting Investment, Resourcing, and Execution: WIRE）は45 nm技術の活用継続により、各防衛事業におけるシステム再設計や再認定に伴う巨額のコスト回避につながると説明した。同案件はWIRE局が2026年に開始した総額1億260万ドルを投じた5つの産業案件の１つで供給網（サプライチェーン）強化により抑止力の再構築や軍の再建を支えていく取り組みである。

Department of Defense “Department of War Invests $16M for 45nm Silicon-on-Insulator Qualification” (07/07/26)
https://www.war.gov/News/Releases/Release/Article/4534935/department-of-war-invests-16m-for-45nm-silicon-on-insulator-qualification/