バイデン政権は8月6日、商務省（Department of Commerce: DOC）とSKハイニックス社（SK hynix）が拘束力のない予備的規約覚書（preliminary memorandum of terms: PMT）に署名したと発表した。高帯域幅メモリ（high-bandwidth memory: HBM）の先端梱包製造及び研究開発（R&D）施設を建設するため、CHIPS・科学法（CHIPS and Science Act）の下で提案されている最大4億5,000万ドルの連邦インセンティブを提供することが目的。CHIPS法の下で提案されている投資は、SKハイニックス社がインディアナ州ウェスト・ラファイエットで人工知能（AI）製品向けのメモリ梱包工場と先端梱包のR&D施設を建設するために計画している約38億7,000万ドルの投資を基盤としたものである。これにより、新たに約1,000名の雇用を創出すると共に、米国の半導体サプライチェーンにおける重要な溝を埋める。SKハイニックス社のウェスト・ラファイエット施設はパーデュー大学リサーチ・パーク（Purdue University Research Park）に建設され、次世代のHBMを大量生産する先端半導体梱包ラインの拠点となる。
