国防総省（Department of Defense）は8月31日、防衛用マイクロエレクトロニクスの耐放射線試験インフラ拡張に向け、2,210万ドルを投じると発表した。ミシガン州立大学（Michigan State University）やトラステッド・ストラテジック・ソリューションズ社（Trusted Strategic Solutions）、ニュークロン社（Nucleon）と2年間の事業契約を締結し、国内放射線試験インフラ新設・拡張を支援する計画で、産業基盤政策担当次官補室の産業基盤分析・維持プログラム（Industrial Base Analysis and Sustainment: IBAS）を通じて資金を拠出する。具体的には、ミシガン州立大学の超伝導高周波希少同位体ビーム施設に専用のビームラインを建設し、高エネルギー重イオンビームを用いたシングルイベント効果（Single event effects: SEE、入射した単一の荷電粒子によって起こるエラー）試験実施を年間最大2,000時間まで拡大していく計画で、同省は最先端防衛システムの耐性強化につなげると説明している。

Department of Defense “Department of War Invests $22.1 Million to Expand Critical Radiation Testing Infrastructure for Defense Microelectronics” (08/31/26)
https://www.war.gov/News/Releases/Release/Article/4587167/department-of-war-invests-221-million-to-expand-critical-radiation-testing-infr/