DARPA、次世代の米国マイクロエレクトロニクス製造を支援

国防高等研究計画局(Defense Advanced Research Project Agency: DARPA)の「次世代マイクロエレクトロニクス製造(Next-Generation Microelectronics Manufacturing: NGMM)」プログラムは、米国を拠点とするマイクロエレクトロニクス製造を進展させる初の国立センターを確立することを目的とした新たな合意によって、次なるチップのプロトタイプへのアクセス性を実現することを目指す。具体的に、DARPAは、テキサス大学オースティン校(University of Texas at Austin)とそのテキサス・エレクトロニクス研究所(Texas Institute for Electronics)(研究センター)と共に、3Dヘテロジニアス・インテグレーション(3D heterogeneously integration: 3DHI)(3D異種集積)マイクロシステムの研究開発及び少量の生産を支援するコンソーシアムの設立を目指す。本プログラムのフェーズ0となる基礎研究を基盤とし、NGMMの今後の2つのフェーズは、主要な課題に包括的に対処し、米国の技術リーダーシップとイノベーションを強化する国内能力に焦点を当てる。

Defense Advanced Research Project Agency “DARPA Brings Next-Gen US Microelectronics Manufacturing Closer to Reality” (7/18/24)